嘉旦微电子设计团队就第三代半导体GaN器件的研制，与西安电子科技大学郝跃院士及团队进行深入的交流。

郝院士作为我国著名微电子学与固体电子学家，郝跃院士开拓和引领了我国第三代（宽禁带）半导体材料与器件的发展，创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系，实现了我国第三代半导体从核心设备、材料到器件的重大创新，为我国在氮化物第三代半导体电子器件步入国际领先行列做出了重要贡献。

郝院士受邀担任嘉旦微电子有限公司的技术专家顾问。

郝跃院士与设计团队交流和合作